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[单选题]

在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.线性失真

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更多“在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。A、饱和失真B、截止失”相关的问题

第1题

在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过低,容易产生()。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.线性失真

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第2题

在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生_______失真。A.截止失真B.
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生_______失真。

A.截止失真

B.饱和失真

C.双向失真

D.线性失真

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第3题

在单管NPN型三极管共发射极放大电路中,输出波形顶部失真,则为()。

A.截止失真

B.饱和失真

C.输入波形失真

D.静态工作点偏高

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第4题

在由NPN型晶体三极管构成的单管共射放大电路中,如果静态工作点过高,则容易产生()失真。

A、截止

B、饱和

C、线性

D、交越

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第5题

在由NPN型晶体三极管构成的单管共射放大电路中,如果静态工作点过高,则容易产生()失真。
A、截止

B、饱和

C、线性

D、交越

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第6题

在共发射极放大电路中,若静态工作点设置过低,易产生()。A.饱和失真B.交越失真C.截止失真D.直
在共发射极放大电路中,若静态工作点设置过低,易产生()。

A.饱和失真

B.交越失真

C.截止失真

D.直流失真

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第7题

在共发射极放大电路中,若静态工作点设置过低,易产生()。A.饱和失真B.交越失真C.截止失真D.
在共发射极放大电路中,若静态工作点设置过低,易产生()。

A.饱和失真

B.交越失真

C.截止失真

D.直流失真

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第8题

分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。

A.截止失真

B.饱和失真

C.晶体管被烧损

D.双向失真

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第9题

分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现____。

A.截止失真

B.饱和失真

C.晶体管被烧损

D.双向失真

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