单晶半导体结附近的扩散距离内所发生的由光生成的少数载流子是很小的。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.多数载流子和少数载流子

某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)？

A.多数载流子移动度u

B.电阻率ρ

C.少数载流子寿命τ

D.复合效果

A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降

B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感

C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子

D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多

A.空穴

B.电子

C.硅

D.锗