可控硅的三个极分别是（)。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.阴极

E.阳极

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.阴极

E.阳极

A、阳极、阴极、栅极

B、栅极、漏极、源极

C、发射极、基极、集电极

D、栅极、发射极、集电极

A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。

B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

A、基极和发射极

B、基极和集电极

C、发射极和集电极

D、基极和电源

A.阴极

B.阳极

C.基极

D.门极

A.发射极

B.栅极

C.基极

D.集电极

E.源极

A.基极b

B.发射极e

C.集电极c

D.源极s

E.栅极g

F.漏极d

A.集电极电流受发射极电流控制

B.基极电流受集电极电流控制

C.发射极电流受集电极电流控制

D.集电极电流受基极电流控制