DRAM芯片刷新时，需要的信号是( )
行地址信号=L
列地址信号=L
A;C;E
DRAM芯片刷新因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，刷新时所需要行地址和列地址并需要读写信号重新刷新地址。
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