试题出自试卷《第十二章 嵌入式系统的存储体系（new）》

问题1选项
A.Flash存储器属于非易失存储器
B.Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同
C.Flash存储器的写操作与SRAM存储器的写操作基本相同
D.Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

C

Flash Memory是一种非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），根据结构的不同可以分为：NOR Flash、NAND Flash。
先擦后写：由于Flash Memory的写操作只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。
操作指令：除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。例如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令（NOR Flash ），或者完成一段时序（NAND Flash）才能将数据写入到Flash Memory中。
所以，不正确的是C。