请用64Kx4位的SRAM芯片构成64KB的存储体，设为CPU发出的读/写命令信号(高电平读，低电平写)，D7--D4、D3--D0为数据总线信号，为访存控制信号(低电平访问存储器)。
（1）指出该设计采用的存储器扩展方式;（2）题37图为该存储器的电路图，请在答题卡上写出序号①~④相对应的相关信号以将其完善。
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为CPU发出的读/写命令信号(高电平读，低电平写)，D7--D4、D3--D0为数据总线信号，
为访存控制信号(低电平访问存储器)。
