摘要:3.2变换器的开关控制策略交错并联低压大电流DC-DC变换器的开关控制策略见图5。图5交错并联低压大电流DC-DC变换器的开关控制策略3.3交错并联低压大电流DC-DC变换器性能首先这种拓扑结构最大的优点是变压器原边的结构简化,控制变得很简单。其次,这种方法的实现必须采用同步整流电路,因为交错并联电路的实现要
3.2 变换器的开关控制策略
交错并联低压大电流DC-DC变换器的开关控制策略见图5。
图5 交错并联低压大电流DC-DC变换器的开关控制策略
3.3 交错并联低压大电流DC-DC变换器性能
首先这种拓扑结构最大的优点是变压器原边的结构简化,控制变得很简单。其次,这种方法的实现必须采用同步整流电路,因为交错并联电路的实现要求变压器副边上下电位轮流为正,在一个时间段内有且只有一个为正电位,其余都为零电位。但在这种拓扑结构中,由于2个变压器的原边串联在一起,而副边是并联的,这样如果用肖特基二极管作整流器,那么输入电压将在2个变压器原边上分压,而肖特基二极管又没有选通的功能,这样变压器二次侧的波形将是完全对称的,上下2个整流电路的电流完全重合,达不到电流交错并联的目的。
这样,应用同步整流器来完成这个功能,同时利用MOSFET的双向导电特性,因为同步整流管的漏源电流是分布在坐标横轴两侧的。这种结构的过程详细分析如下:
1)S1导通,S2截止;S3截止,S4,S5,S6均导通。由于S4,S5,S6的导通,第一变压器副边绕组下端为零电位,第二变压器副边绕组上、下端均为零电位,电感L1上电流上升,L2,L3,L4上电流下降。
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