电子技术基础(三)2009年4月真题试题(04730)
摘要:电子技术基础(三)2009年4月真题试题及答案解析(04730),本试卷总分100分。
电子技术基础(三)2009年4月真题试题及答案解析(04730)
电子技术基础(三)2009年4月真题试题及答案解析(04730),本试卷总分100分。
一、单项选择题
(本大题共15小题,每小题1分,共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.两个串联元件A、B上的电压与电流参考方向如题1图所示,已知U1=2V,I=5A,U2=-4V,则( )
A.元件A吸收功率10W,元件B吸收功率20W
B.元件A产生功率10W,元件B产生功率20W
C.元件A产生功率10W,元件B吸收功率20W
D.元件A吸收功率10W,元件B产生功率20W
2.实际电压源和电流源模型中,其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是( )
A.理想电压源与内阻串联,理想电流源与内阻串联
B.理想电压源与内阻并联,理想电流源与内阻串联
C.理想电压源与内阻串联,理想电流源与内阻并联
D.理想电压源与内阻并联,理想电流源与内阻并联
3.若正弦电压![]()
(V),
(V),则u2相位( )
A.超前u1相位![]()
B.滞后u1相位![]()
C.超前u1相位![]()
D.滞后u1相位![]()
4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示,则可以判断该管为( )
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道耗尽型MOS管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
5.某放大器在1KΩ负载电阻上测得输出电压为1V,在4.7KΩ负载电阻上测得输出电压为1.65V,则该放大器的输出电阻等于( )
A.1KΩ
B.2KΩ
C.4.7KΩ
D.5.7KΩ
6.同相比例运算电路与反相比例运算电路的Rif相比较,则( )
A.反相比例运算电路的Rif大
B.同相比例运算电路的Rif大
C.两者Rif一样大
D.两者Rif不可比较
7.在反相比例运算电路中,下列说法错误的是( )
A.同相端接地u+=0
B.u-=0
C.共模输入uic=0
D.差模输出u0=0
8.单相桥式整流电路,U2为变压器副边电压有效值,则输出电压平均值UO(AV)为( )
A.0.9U2
B.U2
C.2U2
D.3U2
9.下列集成稳压器中,其输出电压为+6V的是( )
A.7906
B.79M06
C.7806
D.7809
10.A⊕B=( )
A.![]()
B.![]()
C.![]()
D.AB
11.某逻辑电路真值表如题11表所示,其函数F的表达式是( )
A.F=![]()
B.F=![]()
C.F=A
D.F=B
12.已知波形图如题12图所示,其逻辑函数Y的表达式为( )
A.Y=![]()
B.Y=AB
C.Y=![]()
D.Y=A+B
13.若要使表达式Y=A⊕B⊕C⊕D为0,则ABCD的取值组合为( )
A.0001
B.0011
C.0111
D.1110
14.题14图所示电路为同步D触发器,设初始状态为0,则经过一个cp脉冲后,其Q端状态为( )
A.1
B.0
C.![]()
D.Qn
15.题15图所示可编程PLA器件中,A和B为输入变量,则输出变量F为( )
A.![]()
B.![]()
C.![]()
D.![]()
二、填空题
(本大题共15小题,每小题1分,共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
11.电路如题16图所示,ab两端的等效电阻Rab等于________Ω。
12.电路如题17图所示,电流I等于________A。
13.正弦电压
V,则该电压的角频率等于________rad/s。
14.N沟道增强型MOS管工作在放大区(恒流区)时,则其漏极电流只受________电压的控制。
15.共射-共集构成的两级级联放大电路,其输入电阻由________放大器决定。
16.电压并联负反馈能够________输入电阻。
17.理想运放在线性区内其同相输入端与反相输入端的输入电流为________。
18.若在电路中发现集成运放处于开环应用,则此电路必为________。
19.三端集成稳压器78M05的输出电流为________A。
110.低压差集成稳压器的效率比普通线性集成稳压器的效率________。
111.十进制数“93”用“8421BCD”码表示为________。
112.有三个输入端的与非门电路,要求输出高电平,则其输入端应至少有________个输入端为0。
113.题28图所示电路为多路输出选择器(DEMUX),X为数据输入端,P0,P1,P2,P3为输出端,S1,S0为选择输入端。当X=1,S1S0=11时,则P3=________。
114.题29图所示电路的状态方程Qn+1=________。
115.PAL电路的结构特点是与阵列可编程,或阵列________。
三、分析题
(本大题共8小题,每小题5分,共40分)
21.电路如题31图所示,已知相量电压
V,求流过电阻的相量电流
。
22.运放电路如题32图所示,已知ui>UZ。要求:(1)写出u0与UZ的关系式;(2)说明此电路有何功能?
23.直流稳压电源如题33图所示,u2的幅值为10V。要求:(1)画出S1断开时u2及A点的波形;(2)画出S1接通时B点的波形;(3)画出S1接通、S2断开时C点的波形;(4)画出S1、S2均接通时D点的波形。
24.用卡诺图化简下列函数,写出最简与或表达式。![]()
25.用代数法证明冗余律:![]()
26.用74LS138加少量与非门实现下列函数。
要求:(1)写出标准“与或”表达式;(2)完成题36图的连接。

27.某逻辑函数表达式如下所示,请列出其真值表并说明当输入为8421BCD码时,输出是什么码。
28.状态转换真值表如题38表所示,请画出状态转化图,并分析其功能。
四、设计与计算题
(本大题共4小题,第39、40小题每小题各8分,第41、42小题每小题各7 分,共30分)
31.电路如题39图所示,已知us=3sin105t(V),is=0.1sin105t(A)。应用叠加定理,求t=10μs时,iL、uL的瞬时值。
32.电路如题40图所示,已知晶体管参数为β=100,rbe=2.5KΩ。要求:(1)判别晶体管的组态;(2)计算电压增益
;(3)计算输入电阻Ri。
33.设有ABC三位裁判对某事件进行裁定,裁定原则是少数服从多数,试用门电路设计此裁判电路,用F表示裁定结果。要求:(1)列出真值表;(2)写出逻辑表达式(要求化简);(3)画出逻辑电路图(使用与门,或门)。
34.试用集成异步十进制计数器74LS290设计一个九进制计数器(反馈置0法)。要求:(1)写出9的二进制代码;(2)写出反馈置0函数式;(3)完成题42图的连接。
题42图
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