​综合练习试卷10

一、1.简答题

0. 变频作用是如何产生的?

1. 晶体管高频小信号放大器为什么一般都采用共发射极电路?

2. 为什么晶体管在高频工作时，要考虑单向化问题，而在低频工作时，则可不必考虑?

二、2.计算题

0. 在图3．4．2(a)所示的单调谐回路放大器中，工作频率为10 MHz，晶体管参数：｜y_fe｜=58．3 mS，g_ie=1．2 ms，C_ie=12 pF，g_oe=400μs，C_oe=9．5 pF，回路电感L=1．4μH，接入系数p₁=O．9，p₂=O．3，空载品质因数Q₀=100。假设y_re=O，求：
  1)谐振时的电压增益A_v0；
  2)谐振回路电容C之值；
  3)通频带2△f_0.7；
  4)若R₄=10 kΩ，试比较并联R₄前后的通频带和增益。

1. 某晶体管的特征频率f_T=250 MHz，β₀=50。求该管在f=1 MHz、20 MHz和50 MHz时的β值。

2. 一个1 000 Ω电阻在温度290 K和10 MHz频带内工作，试计算它两端产生的噪声电压和噪声电流的均方根值。

3. 某接收机的前端电路由高频放大器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数K_pc=0．2，噪声温度T_i=60 K，中频放大器的噪声系数F_ni=6 dB。现用噪声系数为3 dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总噪声系数降低到10 dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝?

三、3.解答题

0. 若非线性元件伏安特性曲线如图4．5．9所示。若工作点选择在图中A点，试计算电流i中二次谐波失真系数(即二次谐波与基波的振幅之比)。

1. 在图4．5．14中，忽略负载作用，并设二极管D1、D2、D3、D4的端电压分别为v1、v2、v3、v4，且v1=v0+vs，v2=v0-vs，v3=-v0+vs，v4=-v0-vs。每个管子的特性都用级数i=a0+a1v+a2v²+a3v³+a4v⁴+…表示。试证明：此混频器的总输出电流为
  

2. 图4．5．20所示为场效应管平衡混频器电路。

  图4．5．20中，v_s=V_smsinω_st；v₀=V_0msinω₀t₀。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量，并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域，其转移特性为。

3. 图10．4．1为某接收机AGC电路的方框图。三级可控增益均为A的放大器，其。当输入信号电压振幅(V_im)_min=125 μV时，输出电压振幅也为：最小值(V_om)_min=1 V。若当(V_im)_max／(V_im)_min=2 000时，要求(V_om)_max／(V_om)_min≤3。试求直流放大器的增益A1与基准电压v_r的最小允许值。

4. 试从物理意义上解释，为什么锁相环路传输函数H(s)具有低通特性，而误差传输函数H_e(s)=1-H(s)具有高通特性。

5. 在上题中，如果滤波器参数变为R1=125 kΩ，R2=10 kΩ，C=0．1μF。试求环路捕捉带△ω_P、快捕带△ω_L和快捕时间τ。

6. 在图11．2．7所示的含吞脉冲分频器中，P=40，N=3～1 000，A=3～100。若参考频率f_r=10 kHz，要获得126．660 MHz的输出频率，则N与A应等于多少?

7. 试说明图11．2．12的工作过程。

8. 已知调幅波的频谱如图7．4．1所示。
1)写出已调波的数学表示式。
2)计算在R=1Ω上消耗的边带功率与总功率和已调波的频带宽度。

9. 图7．4．7中，若要求等效输入电阻R_id≥5 kΩ且不产生惰性失真和负峰切割失真，试选择和计算检波器各元件的参数值。已知调制频率F=300～3 000 Hz；信号频率f_i=465 kHz，R_d≈100 Ω，r_i2=2 kΩ。

10. 有一个调幅波电流i，表示式为i=I[1+0．8cos(2π×3 000t)]cos(2π×10⁶t)，加到谐振频率为10⁶Hz、Q=100的并联谐振回路上(谐振阻抗为R_p)。求回路两端的电压表示式。

11. 怎样用被调放大器电路内的仪表(I_C0、I_k等)来判断调幅是否对称?