开关电源设计MOS反峰及RCD吸收回路[1]

  对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）

  在讨论前我们先做几个假设：

  ① 开关电源的工作频率范围：20~200KHZ；

  ② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；

  ③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

  有了以上几个假设我们就可以先进行计算：

  一﹑首先对MOS管的VD进行分段：

  ⅰ，输入的直流电压VDC；

  ⅱ，次级反射初级的VOR；

  ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

  ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

  二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：

  ⅰ，输入的直流电压VDC。

  在计算VDC时，是依较高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

  VDC＝VAC *√2

  ⅱ，次级反射初级的VOR。

  VOR是依在次级输出较高电压，整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）。

  VOR＝（VFVo）*Np/Ns

  ⅲ，主MOS管VD的余量VDS。

  VDS是依MOS管VD的10%为最小值。如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V。

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