开关电源设计MOS反峰及RCD吸收回路[2]

  VDC＝VD* 10%

  ⅳ，RCD吸收VRCD。

  MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。

  VRCD＝（VD-VDC -VDS）*90%

  注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合。

  ② VRCD必须大于VOR的1.3倍。（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）

  ③ MOS管VD应当小于VDC的2倍。（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）

  ④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。

  ⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的。

  ⅴ，RC时间常数τ确定。

  τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。

  三﹑试验调整VRCD值

  首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）。一个合适的RC值应当在较高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。

  四﹑试验中值得注意的现象

  输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在较高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。

  五﹑RCD吸收电路中R值的功率选择

  R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。

  编后语：RCD吸收电路中的R值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果R值如果过大，MOS管就存在着被击穿的危险。

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