摘要:通过以上分析可以看出,倍流整流结构的二次侧2个滤波电感电流在滤波电容上相互叠加,从而使得输出电流纹波变得相当小。结构中的同步整流器均按外加信号驱动处理,使控制变得很复杂,但在这种半桥-倍流拓扑结构中使用简单的自驱动方式很困难,因为,在这种结构中,如果直接从电路中取合适的点作为同步整流器的驱动信号,在死区时间
通过以上分析可以看出,倍流整流结构的二次侧2个滤波电感电流在滤波电容上相互叠加,从而使得输出电流纹波变得相当小。
结构中的同步整流器均按外加信号驱动处理,使控制变得很复杂,但在这种半桥-倍流拓扑结构中使用简单的自驱动方式很困难,因为,在这种结构中,如果直接从电路中取合适的点作为同步整流器的驱动信号,在死区时间内当这个驱动信号为零时,同步整流器就会截止。为了在半桥-倍流拓扑结构中使用自驱动方式,就必须使用到辅助绕组。
以单个半桥-倍流拓扑结构为例,见图3,VSEC为变压器的二次侧电压,Vgs为由辅助绕组获得的同步整流器的驱动电压,可以看出即使在死区的时间内,同步整流器的驱动电压也不可能为零,保证了自驱动方式在这种拓扑结构中的应用。
图3 自驱动同步整流器电路及波形图
另外,由于在大电流的情况下MOSFET导通压降将增大,从而产生较大的导通损耗,为此应采用多个MOSFET并联方法来减小损耗。
3 交错并联低压大电流DC-DC变换器
3.1 电路原理图
综上所述,倍流整流低压大电流DC-DC变换器具有很好的性能,在此基础上引入交错并联技术,构成一种新的结构,称为并联低压大电流DC-DC变换器,可以进一步减小输出电流纹波。
图4为交错并联低压大电流DC-DC变换器的电路原理图(以最简单的2个倍流整流交错并联为例)。
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